
铟(In)Indium
高纯铟主要用于制备III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、铟封和ITO等材料。
供应规格:4N;5N;6N;7N
用途
- 制备III-V族化合物半导体。
- 高纯合金、掺杂剂、铟封、ITO材料。
- 核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池、红外探测器、荧光屏、磁敏器件等。
包装:真空封装
高纯铟材料适用于III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、ITO、太阳能电池和红外探测器等场景。

高纯铟主要用于制备III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、铟封和ITO等材料。
供应规格:4N;5N;6N;7N
包装:真空封装
提交纯度、形态、数量和应用场景,便于确认供货方案。